| Elektronik - I | 3+0+2 | AKTS:5 | ||||
| Yil / Yariyil | Bahar Dönemi | |||||
| Ders Duzeyi | Lisans | |||||
| Yazilim Sekli | Zorunlu | |||||
| Bölümü | ELEKTRIK ve ELEKTRONIK MÜHENDISLIGI BÖLÜMÜ | |||||
| Ön Kosul | ELK1002-Elektrik Mühendisliginin Temelleri dersinden DC notu almis olmali | |||||
| Egitim Sistemi | Yüz yüze | |||||
| Dersin Süresi | 14 hafta - haftada 3 saat teorik ve 2 saat laboratuar | |||||
| Ögretim Üyesi | Prof. Dr. Ismail Hakki ÇAVDAR | |||||
| Diger Ögretim Üyesi | PROF. DR. Ismail Hakki ÇAVDAR, | |||||
| Ögretim Dili | Türkçe | |||||
| Staj | Yok | |||||
| Amaç | ||||||
| Ögrencilere, elektronikte kullanilan temel bilesenler ögretilmektedir. | ||||||
|
Ögrenme Çiktilari |
BPÇK |
ÖY |
||||||
|
Bu dersi basari ile tamamlayan ögrenciler : |
||||||||
| ÖÇ - 1 : |
temel elektronik kavramlarini daha iyi anlar |
2, 4, 5, 6, 7, 9 |
1 |
|||||
| ÖÇ - 2 : |
yari iletken cihazlari daha iyi anlar |
2, 4, 5, 6, 7, 9 |
1 |
|||||
| ÖÇ - 3 : |
yari iletken diyot ve tranzistör V-I karakteristigini analiz edebilir. |
2, 4, 5, 6, 7, 9 |
1 |
|||||
| ÖÇ - 4 : |
yari iletken diyot ve tranzistör devrelerini daha iyi anlar |
2, 4, 5, 6, 7, 9 |
1 |
|||||
|
BPÇK : Bölüm program çiktilarina katki, ÖY : Ölçme ve degerlendirme yöntemi (1: Yazili Sinav, 2: Sözlü Sinav, 3: Ev Ödevi, 4: Laboratuvar Çalismasi/Sinavi, 5: Seminer / Sunum, 6: Dönem Ödevi / Proje), ÖÇ : Ögrenme Çiktisi |
||||||||
|
Ders Içerigi |
|||||||||
|
Yari iletkenler: p tipi yari iletkenler, n tipi yari iletkenler, p-n eklemi. Diyotlar: Açik devreli p-n eklemi, V-I karakteristigi, V-I karakteristiginin sicakliga bagimliligi, diyot direnci, diyot kapasitesi, zener diyotlar, yük egrisi kavrami, lineer diyot modeli, diyod anahtarlama zamanlari, zener diyot gerilim regülatörü, kirpici devreler, dogrultucular, diger diyot devreleri, kapasitör filtreleri, küçük isaret analizi. BJT : Eklem transistorü kurulumu, ortak baz, ortak emitör ve ortak kolektör yapilari, aktif kesim ve doyum bölgeleri, transistör kazançlari , transistör anahtarlama zamanlari, BJT' nin çalisma noktasi, kutuplama kararliligi, tekil kutup veye emitör kutup, ICO , VBE ve β degisimlerine karsi dengesleme. JFET : Eklem alan etkilitransistör, V-I karakteristigi, iyilestirilmis MOSFET, tüketici MOSFET, MOSFET dönüstürücü, MOSFET lojik kapilari, tamamlayici MOSFET, JFET' in çalisma noktasi |
|||||||||
|
Haftalik Detayli Ders Içerigi |
||||||
|
Hafta |
Detayli Içerik |
Önerilen Kaynak |
||||
| Hafta 1 |
p-tipi, n-tipi yari iletken, p-n eklemi. |
|
||||
| Hafta 2 |
Diodun akim bilesenleri, akim-gerilim özegrileri, sicaklikla degisimleri, uygulama |
|
||||
| Hafta 3 |
Diod direnci, diod kapasitesi, diodun anahtarlama zamanlari, uygulama |
|
||||
| Hafta 4 |
Zener diod, tunel diod, yük dogrusu, dogrusal diod modeli |
|
||||
| Hafta 5 |
Fotodiod,led, display, fotovoltaik etki, LAB |
|
||||
| Hafta 6 |
Kirpici devreler, kenetleyiciler, uygulama, LAB |
|
||||
| Hafta 7 |
Dogrultucular, diger diodlu devreler, LAB |
|
||||
| Hafta 8 |
Transistör, ortak bazli, ortak emetörlü, ortak kollektörlü, LAB |
|
||||
| Hafta 9 |
Arasinav |
|
||||
| Hafta 10 |
Transistörün kesim, iletim(aktif) ve doyum bölgeleri, uygulama, LAB |
|
||||
| Hafta 11 |
Foto transistör, transistörün anahtarlama zamanlari, transistörün kutuplanmasi(çalisma noktasi), LAB |
|
||||
| Hafta 12 |
Kutuplama kararliligi, LAB |
|
||||
| Hafta 13 |
FET, akim-gerilim özegrileri, LAB |
|
||||
| Hafta 14 |
MOSFET, çesitleri, LAB |
|
||||
| Hafta 15 |
MOSFET devreleri, CMOS, FET in kutuplanmasi, uygulama, LAB |
|
||||
| Hafta 16 |
Dönem sonu sinavi |
|
||||
|
Ders Kitabi / Malzemesi |
||||||
| 1 | Millman, J. 1985, MICROELECTRONICS :Digital and Analog Circuits and Systems, McGraw-HILL.
|
|||||
|
Ilave Kaynak |
||||||
| 1 | Demircioglu, Türen, 2000, Electronic Circuits: Solved Problems.
|
|||||
| 2 | Millman, J., 1988, MICROELECTRONICS, McGraw-HILL.
|
|||||
| 3 | Boylestad, R. / Nashelsky, L.,1972, Electronic Devices and Circuit Theory, Prentice-HALL.
|
|||||
| 4 | Schilling D. L. / Belove, C., 1989, ELECTRONIC CIRCUITS, McGraw-HALL.
|
|||||
|
Ölçme Yöntemi |
|||||||||||||
|
Yöntem |
Hafta |
Tarih |
Süre (Saat) |
Katki (%) |
|||||||||
|
Arasinav |
9 |
Dönem içinde ilan edilmektedir. |
2 |
30 |
|||||||||
|
Laboratuvar |
|
Döneme yayılıdır |
2 |
20 |
|||||||||
|
Dönem sonu sinavi |
16 |
Dönem içinde ilan edilmektedir. |
2 |
50 |
|||||||||
